RAMXEED社製*FeRAMはデジタルデータを記憶する材料にPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)を使用し、高速動作と高書換え耐性を特徴とした不揮発性の強誘電体メモリです。EEPROMやフラッシュメモリのスペックで悩まれているシステム開発に最適なデバイスです。
*旧：富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社

【特徴】

・不揮発性　　　データ保持のための電源が不要
・高速書込み　　書き込み時間約120ns/回
・書換え回数　　最大100兆回の書込み保証
・低消費電力　　高速書込みによる低消費電力
・セキュリティ　電荷識別でのデータ読み取り不可

10年間、書込みをした際の比較
EEPROM　 11回/時間、1日最大270回
FeRAM　　30万回/秒、1日最大200億回　より詳細な記録可能

【製品ラインアップ】

インターフェース：I²C、SPI、パラレルの3種類
メモリ容量：4Kビット～8Mビット
動作温度範囲：最大125℃

【アプリケーション】

産業ロボット、ATM、エレベータ、太陽光発電、電力メーター
PLC、ルーター、RAID、ドローン、複合機、POS、ICカード、腕時計、補聴器

これらのアプリケーションは、FeRAMの高速書換え能力、書換え回数・頻度、低消費電力性が重要な要素になっています。RAMXEEDのFeRAMは、その高性能と高信頼性により、さまざまな分野に活用されています。

【参考ブロック図】

ロータリーエンコーダ
富士通セミコンダクターメモリソリューション株式会社は2025年1月1日より社名を「RAMXEED株式会社」に変更いたしました。

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