RAMXEEDは不揮発性メモリであるFeRAMとReRAMを専門とする国内唯一のメーカーです。RAMXEEDはこれらのメモリ技術を通じて、工場のペーパーレス化・DX化推進、FA現場のダウンタイム削減、ミリ秒単位の温度管理、偽造品対策、無線給電IoTセンサーなど、様々な革新的なソリューションを提供しています。
FeRAMとは？
FeRAMは、「Ferroelectric Random Access Memory」の略で、データを記憶する材料に強誘電体を使用した不揮発性メモリです。 ROMとRAMの両方の性質を併せ持ち、不揮発性メモリの長所である電源オフでのデータ保持、低消費電力に合わせて、高速書込み・高書換え耐性といった揮発性メモリの長所も兼ね備えたメモリです。
FeRAMの概要
FeRAM製品のメモリ容量は4kビット～8Mビットです。インターフェース、電源電圧範囲、動作温度範囲によって製品群が分けられます。
| インターフェース | I2C | SPI | パラレル |
|---|---|---|---|
| メモリ容量 | 4K～1Mビット | 16K～8Mビット | 256K～8Mビット |
| パッケージ | SOP, SON, DFN | SOP, SON, DFN, WL-CSP | TSOP, FBGA |
| 電源電圧 | 1.7～1.95V, 1.8～3.6V, 2.7～5.5V | 1.8V～3.6V | |
| 動作温度範囲 | -40℃～125℃, -40℃～105℃, -40℃～95℃, -40℃～85℃ |
-40℃～105℃, -40℃～85℃ |
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FeRAMを選ぶ理由
- 不揮発性
- 高書換え耐性
- 高速書き込み
- 低消費電力
- シンプルな書込み動作
- 既存メモリからの置き換えが容易
アプリケーション
バッテリーマネジメントシステム,計測器,ロータリーエンコーダ,PLC,EVチャージャー,UPSなど
応用例 ロータリーエンコーダ
FeRAMを使用することでロータリーエンコーダでは電源が切れても位置情報を保持することができます。高速書き込みと高書き換え耐性により、エンコーダからのパルスをリアルタイムで確実に記録。これにより、電源再投入時の原点復帰が不要となり、システム起動が高速化。低消費電力でバッテリーレス化も可能にし、産業機器やロボットの信頼性と省エネに貢献します。
| バイナリカウンタ搭載 FeRAM例 MB85RDP16LX |
BRANDメーカー一覧
代理店メーカー一覧
取扱メーカー一覧
ルネサス エレクトロニクス株式会社
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
Texas Instruments Incorporated.
Broadcom Inc.
Intel Corporation
Microchip Technology Inc.
Advanced Micro Devices, Inc.(Xilinx)
NXP Semiconductors N.V.
STマイクロエレクトロニクス株式会社
ローム株式会社
ON Semiconductor.
Infineon Technologies AG
Micron Technology
Lattice Semiconductor Corporation
VISHAY INTERTECHNOLOGY, INC.