2022.06.08
株式会社村田製作所
2022.06.08
VISHAY INTERTECHNOLOGY, INC.
2022.05.01
サン電子工業株式会社

EP-capのご紹介

EP-capは、業界で初めてアルミ電解コンデンサに、電解液陰極に高導電性の導電性高分子を組み合わせることでハイブリッド陰極を形成した製品です。このハイブリッド陰極構造により、電解液の自己修復性を維持しつつ、従来のアルミ電解コンデンサに比べて高周波時の等価直列抵抗(ESR)を大幅に低減しています。

□特長

  • ●低ESR (機器の小型化と高性能化)
    • ・高周波のノイズ除去用として最適
    • ・リプル電流が大きく取れ、スイッチング電源の平滑用に最適
  • ●高耐圧化125Vまで、高温度化150℃まで
  • ●定格電圧の100%まで使用可能
    • ・ディレーティングの必要なし
  • ●優れた低温特性(低温度範囲で安定動作)
    • ・低温特性を要求される機器に最適
  • ●電解液による酸化皮膜の自己修復作用
    • ・固体コンデンサに比べてショートになり難く、低漏れ電流化を実現
  • ●RoHS指令対応品 (環境対応品)

□温度特性

□周波数特性

面実装タイプシリーズ一覧

シリーズ 温度(℃) 保証寿命(時間) 定格電圧(V) 静電容量(μF) ESR(mΩ以下) リプル電流(mArms)
FVL 105~125 105°C 5000
125°C 2000
6.3~10 100~1000 15~36 105℃ 1700~390
125℃ 950~2200
HVHZ 105 4000~10000 16~35 27~560 14~50 1890~4340
HVH 105 4000~10000 50~125 6.8~82 19~150 960~2650
HVHF 105 5000~10000 25~100 10~470 16~120 1000~2800
HVHC 105 5000 25~35 56~560 16~60 1600~4000
HVPZ 125 2000~3000 16~35 27~560 14~50 1070~3030
HVP 125 2000~3000 50~125 6.8~82 19~150 670~1590
HVPF 125 4000 25~100 10~470 16~120 500~2260
HVPC 125 4000 25~35 33~560 16~100 750~3000
HCPY 125 4000 25~35 270~470 14~18 4000~4700
FVC 105~135 105℃ 4000
125℃ 4000
135℃ 4000
6.3~35 150~3900 11~60 105℃ 2800~8400
125℃ 1000~5200
135℃ 1500~2500
FVFP 125~135 125℃ 4000
135℃ 4000
16 330~1000 11~20 125℃ 3700~5900
135℃ 2500~4000
FVF 125~150 125℃ 4000
135℃ 4000
150℃ 4000
25~80 22~680 11~60 125℃ 2000~5700
135℃ 1400~4700
150℃ 900~2250
FVS
(逆電圧耐性品)
(-16V, 60分)
125 4000 35 47~220 17~35 1400~2260

2022.05.01
JOHANSON TECHNOLOGY

EMIフィルター ・デカップリング用X2Yコンデンサ

EMIフィルターコンデンサは、温度や電圧、経年変化に影響されない2つのバランスの取れたコンデンサです。この製品は、優れたデカップリングとEMIフィルタリング性能を持つため、一つの部品で複数のコンデンサやインダクタを代替します。コンパクトな4端子のSMTチップ内に、2つの低インダクタンスコンデンサを含む非常に汎用性の高い3ノードの容量性回路を構成します。


特長
 低損失・低ESL
 1個で3~5個のキャパシタの置き換えが可能
 高速データフィルタリング
 EMC I/O フィルタリング

EMI
フィルタリング

パワーバイパス
デカップリング

X2YキャパシタによるGSM RFI
アッテネーション比較

高性能多層セラミックコンデンサ

さまざまな用途に対応する高性能多層セラミックコンデンサを用意しています。これらのコンデンサは、超低損失、high-Q、低ESRを特徴とし、高周波アプリケーションに最適です。銅や銀などの材料を使用することで、価格の安定性と高い性能を両立しています。またさまざまな終端スタイルを提供し、すべてRoHS対応です。自動車用バージョンもリクエストに応じて利用可能です。温度特性はNP0 (0±30ppm/℃, -55~125°)に対応しています。


特長
 高Q値により高周波の信号の減衰が少なく、 挿入損失の低減が可能
 高周波特性の向上、低消費電力化に寄与
 MIL STDスクリーニング製品
 主要半導体メーカーのリファレンスデザインに採用
 通信(Telecom地上局)及び無線(RF module)分野用途

製品シリーズ
 Cシリーズ:1.5GHz以上での優れたESR、低電力RF向け
 Sシリーズ:超高Q性能、超低損失、民生、産業用途向け
 Eシリーズ:HFからマイクロ波までの高Q性能, 高電圧・高電流用途